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是否仍处于良率爬坡过程?长光华芯冲刺科创板IPO二遭问询


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(原标题:是否仍处于良率爬坡过程?长光华芯冲刺科创板IPO二遭问询)

8月27日,资本邦了解到,苏州长光华芯光电技术股份有限公司(下称“长光华芯”)回复科创板二轮问询。

图片来源:上交所官网

在科创板二轮问询中,上交所主要关注公司良率和生产成本、高功率巴条系列产品、技术先进性、实控人认定等四方面的问题。

具体看来,关于良率和生产成本根据首轮问询回复:(1)随着公司生产工艺不断进步,产量与良率持续爬升,单位生产成本不断下降;(2)单管芯片产量增长的主要是因为芯片良率提升;(3)单位衬底产出芯片的数量(芯片产量/领用数量)逐年增加,主要系芯片良率增长所致;单位器件产量对应的热沉领用数量略有下降主要系发行人封装段的良率上升所致;(4)2019年度,发行人承接了科研院所的巴条器件交付项目,该项目涉及的巴条器件封装段良率较低,发行人通过拆卸不良品器件,回收利用热沉的方法,降低了直接材料的消耗,由于封装段良率较低,直接人工和制造费用成本提高;(5)2019年9月份开始,发行人将封装车间和光纤耦合车间部分产线的劳务外包,劳务外包费用计入制造费用。

上交所要求发行人说明:(1)主要产品报告期内良率水平的变化情况,公司的良率水平与同行业可比公司是否存在差异,是否仍处于良率爬坡过程,新产线完成良率爬坡的平均周期,发行人良率的提升和单位成本的下降是否仍有空间,若未来产品价格进一步下降,是否会对发行人持续经营能力造成重大不利影响;(2)单管芯片产量增长与良率的提升是否匹配,“单管芯片产量增长的主要是因为芯片良率提升”表述是否准确;(3)结合芯片生产及封装良率的变动进一步量化分析单位衬底产出芯片的数量(芯片产量/领用数量)变动较大、热沉领用数量/器件产量略有下降的原因;(4)不良品的会计核算方法;(5)劳务外包的用工情况,及其合法合规性。

长光华芯回复称,公司半导体激光产品的生产工序较长,按制造工序及产品外观形态可分为芯片、器件、模块和激光器四类,同类产品存在相同的制造环节和较多共用的生产设备。

例如,单管芯片和巴条芯片的生产流程均为外延生长、晶圆工艺和解理镀膜;单管器件和巴条器件的生产流程均为封装。因此,在分析生产良率时,主要按芯片、器件、模块和激光器进行归类分析。

模块和激光器的生产工序主要为耦合组装,相关技术较为成熟,对原材料的生产利用率较高。以材料价格较高的壳体组为例,2018年、2019年和2020年,公司壳体组生产利用率(模块产量/壳体组生产领用数量)分别为94.97%、99.47%和96.70%,损耗较少。另外在生产过程中若发生耦合失败的情形,单个材料成本较高的原材料如壳体组等基本可回收利用,对公司生产经营的影响较小。因此,本题主要分析芯片和器件在报告期内良率水平的变化情况。

半导体激光芯片属于光电有源芯片,与以硅片为衬底的数字芯片或模拟芯片相比,不仅需克服共有的晶圆工艺,还需解决外延生长、解理镀膜等特有的光学工艺。

具体而言,外延生长是指在衬底上长出半导体激光材料生成外延片,解理镀膜是指将通过晶圆工艺生成的晶圆进行解理并通过腔面钝化处理技术镀上特殊材料膜并使其具备激光特性。因此,半导体激光芯片生产的良率受外延生长、晶圆工艺及解理镀膜三道工序的共同影响。

报告期内,随着公司生产工艺持续进步,生产技术不断优化,公司主要产品生产良率逐年提升。(公司主要产品生产良率已申请豁免披露)

其中,报告期内公司芯片解理镀膜环节的生产良率低于其他工序,主要系解理镀膜环节对芯片缺陷的容忍度极低,对腔面耐光学损伤要求非常高,因此该生产环节良率较难做到很高。目前高功率半导体激光芯片行业现有生产技术水平尚未实现解理镀膜工序的完全自动化,因此解理镀膜生产良率低于外延生长和晶圆工艺。(公司主要工序生产良率已申请豁免披露)半导体激光芯片属于光电有源芯片,市场规模占半导体产业的比重较小,目前仍以国外厂商为主,各工序生产良率属于芯片企业内部经营管理信息,可比公司未公开披露不同工序的良率数据,因此无法获取半导体激光芯片生产的良率数据进行对比分析。

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